В сканирующем электронном микроскопе используется детектирование различных сигналов, включая вторичные электроны, обратно рассеянные электроны, рентгеновское излучение и ток через образец.

Основные применения сканирующей электронной микроскопии:

• визуализация топографии поверхности (при регистрации вторичных электронов)
• фрактографические исследования структуры поверхности излома образцов (Шарпи, COD, ST и др.)
• карты распределения элементов на поверхности и в поверхностных слоях (при регистрации обратно рассеянных электронов, оже-электронов и рентгеновского излучения)
• исследования микроструктур и микротекстур  

Сканирующий электронный микроскоп VERIOS™ XHR SEM позволяет получать изображения поверхности с суб-нанометровым разрешением до 0,7 нм во всём диапазоне ускоряющих напряжений от 1кВ до 30 кВ, сохраняя при этом все аналитические возможности.

Превосходная производительность VeriosТМ объясняется уникальным дизайном электронной колонны «Elstar FESEM». Монохроматор и модуль замедления пучка электронов позволяют показывать невероятные результаты на низких ускоряющих напряжениях, а новая технология «Constant Power Lens», делает колонну микроскопа еще более стабильной. 

Преимущества:

• Новые высококонтрастные многосегментные твердотельные детекторы для BSE и STEM
• Режим замедления электронного пучка для работы с деликатными биологическими образцами
• Суб-нанометровое разрешение при низких ускоряющих напряжениях вплоть до 1 кВ
• Встроенный быстрый электростатический бланкер: для нужд электронной литографии высокого разрешения и для обеспечения минимального повреждения чувствительных биологических образцов
• Электростатическая система сканирования обеспечивает минимальные искажения и высокую скорость развертки пучка